J.A .Cur ran 等利用離子微弧氧化處理生成的氧化鋁膜熱導率在2 W/(m · K)左右, 遠高于一般導熱樹脂和高分子PCB 的熱擴散率, 李華平等利用微弧氧化法生長的氧化鋁(導熱率為2W/(m ·K))薄膜厚度為40 μm 和20 μm 時, 熱阻分別為l1 .3 K/W 和9 .1 K/W , 因此, 將氧化鋁基板應用于LED 散熱是可能的。但目前, 陽極氧化制備的氧化鋁膜多用于耐磨、耐蝕等場合, 用于LED 散熱的報道相對較少。另一方面, 要準確衡量陽極氧化鋁基板的散熱性能, 必須對LED 結溫及熱阻進行精確測量, 目前常用的方法是正向壓降法 。

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